LED發(fā)展史中的關(guān)鍵技術(shù)的突破總結(jié)如下:1907年，在碳化硅里觀察到電致發(fā)光現(xiàn)象;1954年，始制作CaP單晶并對(duì)其性能進(jìn)行研究；1955年，觀測(cè)到GaP發(fā)光現(xiàn)象；1962年。開(kāi)發(fā)出GaAsP系紅光LED；1966年，GaAs系紅外LED的外部量子效率達(dá)6％；1967年，GaP:ZnO系紅光LED的外部量子效率達(dá)2Q;1969年，SiC系藍(lán)光LED的電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)0.005％，GaP系紅光LED的外部量子效率達(dá)7.2％:1972年，開(kāi)發(fā)出 Gaasp系黃光LED的外部量子效率達(dá)0.2％，CaP:

ZnO系紅光LED的外部量子效率達(dá)15％；1977年， Gaasp系紅光LED的外部量子效率達(dá)0.1％；1981年，確認(rèn)GaN系的藍(lán)色發(fā)光;1985年，開(kāi)發(fā)出四元結(jié)晶 AIGALNP系橙色LED；1986年，開(kāi)發(fā)出GaN系A(chǔ)IN低溫堆積緩沖層技術(shù):1992年，GaN系的藍(lán)色PN同質(zhì)結(jié)二極管的外部量子效率達(dá)1％；1994年，PN結(jié)型 GALNN/ AIGAN異質(zhì)結(jié)高亮度藍(lán)光LED(1CD級(jí));1995年GALNN雙異質(zhì)結(jié)藍(lán)光LED的外部量子效率達(dá)10％，開(kāi)發(fā)出 GAINN系綠光LED；1997年，開(kāi)發(fā)出使用熒光粉的白光LED，光效達(dá)5lm/W:2001年，開(kāi)發(fā)出了 AIGALNP系:采用附著在透明襯底上的加工工藝;2002年，采用藍(lán)光+激發(fā)黃色熒光粉產(chǎn)生的白光LED的性能提高，光效達(dá)62lm/W;2004年，采用藍(lán)光+激發(fā)黃色熒光粉產(chǎn)生的白光LED的性能捉高，光效達(dá)80lm/W;2009年，研發(fā)出多面發(fā)光體LED燈泡，實(shí)現(xiàn)360度全方位照明。

 

2014年10月7日，日本明城大學(xué)赤崎勇教授、名古屋大學(xué)天野浩和教授美國(guó)加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校中村修二教授3人獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。其20世紀(jì)90年代通過(guò)半導(dǎo)體導(dǎo)出藍(lán)色光束，引發(fā)照明技術(shù)革新。紅光LED和綠光LED早已發(fā)明，但長(zhǎng)期以來(lái)制造藍(lán)光LED成為一個(gè)難題，缺少了三原色中的藍(lán)色，就無(wú)法獲得可用于照明、且讓消費(fèi)者感受舒適的白色LED光源。這3名科學(xué)家20世紀(jì)90年代早期通過(guò)半導(dǎo)體導(dǎo)出藍(lán)色光束，為照明領(lǐng)域的發(fā)展帶來(lái)了根本性轉(zhuǎn)變。目前，LED的發(fā)光效率逐年提高，價(jià)格持續(xù)降低，應(yīng)用前景廣闊。